حافظه هاي فلش

حافظه هاي الکترونيکي با اهداف متفاوت و به اشکال گوناگون تاکنون طراحي و عرضه شده اند. حافظه فلش ، يک نمونه از حافظه هاي الکترونيکي است که براي ذخيره سازي آسان و سريع اطلاعات در دستگاههائي نظير : دوربين هاي ديجيتال ، کنسول بازيهاي کامپيوتري و ... استفاده مي گردد. حافظه فلش اغلب مشابه يک هارد استفاده مي گردد تا حافظه اصلي .

در تجهيزات زير از حافظه فلش استفاده مي گردد :

تراشه BIOS موجود در کامپيوتر

CompactFlash که در دوربين هاي ديجيتال استفاده مي گردد .

SmartMedia که اغلب در دوربين هاي ديجيتال استفاده مي گردد

Memory Stick که اغلب در دوربين هاي ديجيتال استفاده مي گردد .

کارت هاي حافظه PCMCIA نوع I و II

کارت هاي حافظه براي کنسول هاي بازيهاي ويدئويي

مباني حافظه فلش

حافظه فلاش يک نوع خاص از تراشه هاي EEPROM است . حافظه فوق شامل شبکه اي مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و يا ستون از دو ترانزيستور استفاده مي گردد. دو ترانزيستور فوق توسط يک لايه نازک اکسيد از يکديگر جدا شده اند. يکي از ترانزيستورها Floating gate و ديگري Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانيکه لينک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار يک ذخيره خواهد بود. به منظور تغيير مقدار يک به صفر از فرآيندي با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده مي گردد. از Tunneling به منظور تغيير محل الکترون ها در Floating gate استفاد مي شود. يک شارژ الکتريکي حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده مي شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسيد .در نهايت شارژ فوق تخليه مي گردد( زمين ) .شارژ فوق باعث مي گردد که ترانزيستور floating gate مشابه يک پخش کننده الکترون رفتار نمايد . الکترون هاي مازاد فشرده شده و در سمت ديگر لايه اکسيد به دام افتاد و يک شارژ منفي را باعث مي گردند. الکترون هاي شارژ شده منفي ، بعنوان يک صفحه عايق بين control gate و floating gate رفتار مي نمايند.دستگاه خاصي با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونيتور خواهد کرد. در صورتيکه جريان گيت بيشتر از 50 درصد شارژ باشد ، در اينصورت مقدار يک را دارا خواهد بود.زمانيکه شارژ پاس داده شده از 50 درصد آستانه عدول نموده مقدار به صفر تغيير پيدا خواهد کرد.يک تراشه EEPROM داراي گيت هائي است که تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار يک را دارا است.

در اين نوع حافظه ها ( فلش) ، به منظور حذف از مدارات پيش بيني شده در زمان طراحي ( بکمک ايجاد يک ميدان الکتريکي) استفاده مي گردد. در اين حالت مي توان تمام و يا بخش هاي خاصي از تراشه را که بلاک ناميده مي شوند، را حذف کرد.اين نوع حافظه نسبت به حافظه هاي EEPROM سريعتر است ، چون داده ها از طريق بلاک هائي که معمولا 512 بايت مي باشند ( به جاي يک بايت در هر لحظه ) نوشته مي گردند.

کارت هاي حافظه فلش

تراشه BIOS در کامپيوتر، متداولترين نوع حافظه فلش است . کارت هاي SmartMedia و ComapctFlash نيز نمونه هاي ديگري از حافظه هاي فلش بوده که اخيرا متداول شده اند. از کارت هاي فوق بعنوان فيلم هاي الکترونيکي در دوربين هاي ديجيتال، استفاده مي گردد .کارتهاي حافظه براي بازيهاي کامپيوتري نظير Sega و PlayStation نمونه هاي ديگري از حافظه هاي فلش مي باشند. استفاده از حافظه فلش نسبت به هارد داراي مزاياي زير است :

حافظه هاي فلش نويز پذير نمي باشند.

سرعت دستيابي به حافظه هاي فلش بالا است .

حافظه هاي فلش داراي اندازه کوچک هستند.

حافظه فلش داراي عناصر قابل حرکت ( نظير هارد ) نمي باشند.

قيمت حافظه هاي فلش نسبت به هارد بيشتر است .